国投创业日前宣布，完成对国内IGBT(绝缘栅双极型晶体管)芯片领先企业宁波达新半导体有限公司(简称“达新半导体”)的B轮领投，支持企业建设生产基地、扩大研发投入等。

此前，国投创业已完成对功率半导体(IGBT、MOSFET & SiC)设计和应用企业上海陆芯电子科技有限公司(简称“陆芯科技”)的C轮领投，新一轮融资将加强产品供应链，拓展产品销售渠道，支持新产品的研发投入和技术迭代。

IGBT作为电控系统的核心器件，产品结构复杂程度、模块集成度和市场门槛较高，当前全球IGBT市场90%左右为欧、美、日国际巨头所占据。我国IGBT 起步较晚，国产化率仅为10%，但市场规模占全球50%左右。随着IGBT在工业变频、新能源汽车和家电领域应用的迅速扩大，未来具有较大的进口替代空间。

国投创业认为，IGBT是值得投资布局的行业赛道，陆芯科技、达新半导体的技术能力、特色工艺方案选择、产品定型批产、市场验证和客户导入、骨干团队打造、发展路径策略等方面均有良好积累沉淀，进入快速发展的节点。团队拥有国际和国内知名半导体企业的芯片工艺技术开发和产业化制造经验，得到业内的广泛认可，并建立了高粘性IGBT的下游客户和市场渠道。国投创业将凭借在半导体全产业链布局优势，在相关产业资源协同和对接方面提供积极支持，助推企业实现快速发展。

陆芯科技2017年成立于上海张江高科技园区，是一家专注于最新一代功率半导体器件的高新技术企业。公司聚焦于功率半导体(IGBT、MOSFET & SiC)的设计和应用，掌握了创新型功率半导体核心技术，拥有自主知识产权和品牌。产品设计采用的最新一代Fine-Pitch沟槽栅场截止技术，具备比肩国际一线品牌的高性能与高可靠性，已成功导入国内多家细分行业头部企业客户。　　达新半导体成立于2013年，是由业内知名海归博士创立的国家级高新技术企业，企业从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，并提供相关的应用解决方案。达新半导体拥有芯片设计、晶圆制造、模块制造及应用的完整IGBT产业链，是国内唯一及国际上少数开发成功6寸和8寸全IGBT芯片技术的企业。

(来源：国投创业)